锗双量子阱中的高迁移率空穴双层
介观与纳米尺度物理
2022-01-19 v1 强关联电子
摘要
我们设计、制备并研究了一种应变锗双量子阱中的空穴双层。对双量子阱场效应晶体管随栅压变化的磁输运表征揭示了两个空穴通道的占据，其合并迁移率高达3.3410 cm/Vs，渗流密度低至2.3810 cm。我们从朗道扇形图的干涉图案中分辨出各通道的独立占据情况。在密度2.010 cm下，系统处于共振态，我们观察到前两个双层子带的反交叉，其特征为对称-反对称能隙约0.69 meV，与Schr"odinger-Poisson模拟结果一致。
引用
@article{arxiv.2201.06862,
title = {A high-mobility hole bilayer in a germanium double quantum well},
author = {A. Tosato and B. M. Ferrari and A. Sammak and A. R. Hamilton and M. Veldhorst and M. Virgilio and G. Scappucci},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.06862},
year = {2022}
}