双量子阱异质结构的异常隧穿特性
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
我们报告了双 InGaAs 量子阱结构中的隧穿现象，这些现象与二维系统之间常规的平行动量守恒隧穿图景相矛盾。我们发现，隧穿电流主要由发射器与单个阱中态之间的相关性决定，而非两个阱中态之间的相关性。首次观察到清晰的磁场依赖特征位于主共振之前，对应于发射器附近阱中 Landau 能级的隧穿通道。这些事实提供了二维系统中平面动量守恒被破坏的证据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407375,
title = {Unusual Tunneling Characteristics of Double-quantum-well Heterostructures},
author = {Y. Lin and J. Nitta and ; A. K. M. Newaz and W. Song and E. E. Mendez},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407375},
year = {2009}
}
备注
Submitted to ICPS-27 conference proceeding as a contributed paper