多量子阱结构中的势垒击穿
材料科学
2009-11-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们探索了多量子阱结构中单极电子输运的一个区域，该区域具有高达五个数量级的极大电流不连续性。磁输运实验揭示了不同的输运区域。量子阱碰撞电离使结构从电流通过阱间量子隧穿流动的电阻性下态，转变为高导电性的上态。在后一区域中，电流通过由于第一量子阱的有效电离而突然击穿的势垒泄漏。
引用
@article{arxiv.0711.0890,
title = {Barrier breakdown in a multiple quantum well structure},
author = {A. Gomez and V. Berger and N. Pere-Laperne and L. A. De Vaulchier},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.0890},
year = {2009}
}
评论
16 pages, 5 figures