用于研究 GaAs/AlGaAs 系统中电子-空穴相互作用输运的完整实验室
介观与纳米尺度物理
2017-03-08 v1
摘要
我们展示了 GaAs/AlGaAs 双量子阱器件，它们可以作为电子-空穴双层和空穴-空穴双层运行，其隔离势垒窄至 5 nm 或 7.5 nm。凭借如此窄的势垒，在 h-h 构型中，我们观察到了量子霍尔双层区域内磁场诱导激子凝聚的迹象。利用库仑拖曳，我们可以在相同的器件中研究零磁场下的 e-h 和 h-h 双层状态。在液氦温度下观察到了极强的 e-h 库仑拖曳电阻率（高达单层电阻率的 10%），但在这种情况下未看到激子凝聚的确切迹象。对电子和空穴波函数的自洽计算表明，这可能是因为 e-h 情形下的平均层间分离大于 h-h 情形。
引用
@article{arxiv.1611.08816,
title = {A complete laboratory for transport studies of electron-hole interactions in GaAs/AlGaAs systems},
author = {Ugo Siciliani de Cumis and Joanna Waldie and Andrew F. Croxall and Deepyanti Taneja and Justin Llandro and Ian Farrer and Harvey E. Beere and David A. Ritchie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.08816},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures