Al(0.10)Ga(0.90)As/AlAs 双层电子体系
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2
摘要
我们制造了一个由两个紧密耦合的二维电子体系构成的器件，其中一个电子体系位于 Brillouin 区 (BZ) 的 X 点处的 AlAs 量子井 (QW) 中，另一个电子体系则位于合金 Al_{0.10}Ga_{0.90}As 中的 点处， grown directly 位于 AlAs QW 下方。这两个体系的电子性质具有强烈的非对称性：AlAs 和 Al_{0.10}Ga_{0.90}As 各层的旋角质量分别以自由电子质量为单位为 0.46 和 0.07，而有效电子 g 因子约为 8.5 和 0。通过前后栅极，我们可以将可移动载流子限制在其中一个或两个 QW 中，磁传输测量已确认了这一点。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310434,
title = {A Hybrid Al(0.10)Ga(0.90)As/AlAs Bilayer Electron System},
author = {E. P. De Poortere and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310434},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures