AlGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱作为MOVPE反应器环境的灵敏探针
材料科学
2011-08-17 v1
摘要
本文提出了一种简单的量子阱结构，由GaAs阱和AlGaAs势垒组成，作为测量金属有机气相外延系统内砷烷纯化器性能的探针。基于对生长在略偏离(100)方向的GaAs衬底上的厚量子阱的低温光致发光发射光谱的分析，对两种不同商用纯化器进行了比较。这些结构发射的中性激子显示出极窄的线宽，可与超高真空环境下分子束外延获得的线宽相媲美，这表明需要低于1 ppb水平的纯化才能实现高质量的量子阱生长。
引用
@article{arxiv.1108.3294,
title = {AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum wells as a sensitive tool for the MOVPE reactor environment},
author = {V. Dimastrodonato and L. O. Mereni and R. J. Young and E. Pelucchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.3294},
year = {2011}
}