面向高性能全 IV 族光电子器件的 SiGeSn/GeSn 单量子阱研究
应用物理
2021-03-31 v1
摘要
近期（Si）GeSn 光电子器件的进展为在 Si 衬底上实现光子集成带来了巨大前景。在体器件发展的同时，基于（Si）GeSn 的量子阱（QWs）也被研究以旨在提升器件性能。虽然多量子阱结构更受器件应用青睐，单量子阱（SQW）则更适于光学性质研究。本工作中，对 SiGeSn/GeSn SQW 进行了全面研究。计算所得的能带图给出了能带排列与可能跃迁的能量。该 SQW 具有直接带隙势阱，其 L-{\Gamma} 谷能量分离为 50 meV，电子与空穴的势垒高度均大于 80 meV。利用两台连续波与两台脉冲泵浦激光器，对 PL 光谱的分析得以辨识不同跃迁并更好地理解 SQW 的光学性质。该研究可为推进面向器件应用的未来量子阱设计提供指导。
引用
@article{arxiv.2009.12254,
title = {Study of SiGeSn/GeSn single quantum well towards high-performance all-group-IV optoelectronics},
author = {Grey Abernathy and Yiyin Zhou and Solomon Ojo and Bader Alharthi and Perry C. Grant and Wei Du and Joe Margetis and John Tolle and Andrian Kuchuk and Baohua Li and Shui-Qing Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.12254},
year = {2021}
}
备注
26 pages, 8 figures, and 3 tables