用于硅光子学应用的 GaInSb 量子阱激光器热性能

实现硅光子学的一个关键组件是工作在 1.55 ${\mu}$m 附近重要通信波段的集成激光器。一种方法是通过使用可直接在硅上生长的基于 GaSb 的合金。在本研究中，开发并研究了在 GaSb 衬底上生长、发射波长为 1.55 ${\mu}$m 的硅兼容应变 Ga$_{0.8}$In$_{0.2}$Sb/Al$_{0.35}$Ga$_{0.65}$As$_{0.03}$Sb$_{0.97}$ 复合量子阱（CQW）激光器的热性能。采用变温和高压力技术来研究器件设计对性能的影响。这些测量表明，器件的温度依赖性主要由载流子泄漏到 Al$_{0.35}$Ga$_{0.65}$As$_{0.03}$Sb$_{0.97}$ 势垒层的 X 极小值所主导，在室温下占阈值电流的至多 43%。通过改进 CQW 设计可能改善器件性能，而通过优化势垒层组分可改进载流子限制。该研为硅上 GaSb 基激光器的单片集成提供了宝贵的设计见解。