GaN-on-Si射频技术中温度相关衬底损耗的量化
应用物理
2019-03-25 v1
摘要
利用经实验验证的器件仿真框架，评估了GaN-on-Si技术中由于衬底电阻率随温度变化引起的温度相关衬底损耗的固有极限。随后给出了室温衬底电阻率对各种工作频段下温度相关共面波导（CPW）线损耗的影响。结果表明，对于GaN-on-高阻硅，当温度高于150{\deg}C时呈现出明显的温度依赖性，且在高于X波段的频率下具有更低的衬底损耗。另一方面，GaN-on-低阻硅表现出更强的温度不敏感性，且在较低工作频率下甚至比高阻硅具有更低的衬底损耗。还给出了各种CPW几何结构对衬底损耗的影响以推广讨论。这些结果有望作为GaN-on-Si射频技术中温度相关衬底损耗的基准。
引用
@article{arxiv.1901.09521,
title = {Quantifying Temperature-dependent Substrate Loss in GaN-on-Si RF Technology},
author = {Hareesh Chandrasekar and Michael J. Uren and Michael A. Casbon and Hassan Hirshy and Abdalla Eblabla and Khaled Elgaid and James W. Pomeroy and Paul J. Tasker and Martin Kuball},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.09521},
year = {2019}
}
备注
7 pages (double-column), 10 figures