研究温度效应对阻变随机存取存储器(RRAM)器件的影响
材料科学
2016-02-29 v1
摘要
在本文中，我们报道了丝半径和丝电阻率对ZnO、TiO2、WO3和HfO2阻变随机存取存储器(RRAM)器件饱和温度的影响。我们借助RRAM的热反应模型进行分析。结果证实，对于所研究的RRAM器件，饱和温度随丝半径和电阻率的增加而降低。此外，观察到在较低的丝半径和电阻率值下饱和温度发生突变，而在中等和较高的丝半径和电阻率值下则呈稳定变化。结果确认了RRAM中饱和温度对丝尺寸和电阻率的依赖性。
引用
@article{arxiv.1602.08262,
title = {Investigating the Temperature Effects on Resistive Random Access Memory (RRAM) Devices},
author = {T. D. Dongale and K. V. Khot and S. V. Mohite and S. S. Khandagale and S. S. Shinde and A. V. Moholkar and K. Y. Rajpure and P. N. Bhosale and P. S. Patil and P. K. Gaikwad and R. K. Kamat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.08262},
year = {2016}
}
备注
10 Pages, 3 figures and 3 tables