基于二氧化钒开关的可重构带阻滤波器的温度依赖性
应用物理
2020-10-27 v1
摘要
在本快报中，我们报道并研究了所制备的带有二氧化钒(VO2)开关的可重构带阻滤波器在高达55 GHz测量下的多种射频(RF)参数的温度依赖性。此处分析了VO2薄膜的绝缘体到金属(ITM)与金属到绝缘体转变(MIT)滞回对滤波器RF特性的影响，温度范围从25°C到120°C的加热与冷却过程。探讨了谐振频率与最大插入损耗(IL)随温度变化的稳定性与灵敏度。注意到将温度从25°C升高50°C（或从120°C降低50°C）会导致相对于关断与导通谐振频率的分数频率偏移小于1%。VO2薄膜在转变温度附近的尖锐直流电导率水平变化转化为对滤波器谐振特性的尖锐影响。相反，最大IL水平对VO2转变温度附近直流薄膜的尖锐电导率变化较不敏感。最后，我们观察到在80°C（高于但接近VO2的直流转变温度）加热与冷却时的RF参数表现出完全不同的谐振频率。所报道的VO2薄膜在转变温度附近的RF结果在加热与冷却时可能发散，因此对VO2可重构RF器件的更深入理解还必须包含MIT与ITM以下RF频段内多个温度点的温度依赖测量。
引用
@article{arxiv.2007.07152,
title = {Temperature Dependence of Reconfigurable Bandstop Filters Using Vanadium Dioxide Switches},
author = {Andrei A. Muller and Matteo Cavalieri and Adrian M. Ionescu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.07152},
year = {2020}
}
备注
14 pages, 7 figs. This article is under submission at Applied Physics Letters