金属/YBa2Cu3O6+x平面结中电阻开关效应的温度依赖性研究
介观与纳米尺度物理
2011-04-19 v1
摘要
在类电容器金属/绝缘体/金属结中观察到的电阻开关（RS）效应是下一代存储单元技术最有希望的候选者之一。该效应基于施加于金属电极的电场引起的结电阻的突然变化。本工作旨在研究金属/YBCO6/YBCO7结构上的这一效应，其中YBCO7是金属相，YBCO6是绝缘相，后者通过氧从几纳米宽的YBCO表面层向外扩散而自发形成。采用磁控溅射法制备了取向YBa2Cu3O7薄膜，随后通过光学光刻、离子刻蚀和真空蒸发制备了具有金属-YBCO结的平面结构。在这些结上，我们通过低至液氦温度的I-V和dI/dV-V输运测量，研究了RS效应的温度依赖性。我们确定了在100-300 K温度范围内RS效应阈值电压的温度依赖性，并表明该依赖性与电场作用下YBCO表面层内氧离子迁移的普遍观点相符。
引用
@article{arxiv.1104.3569,
title = {Temperature dependence of the resistance switching effect studied on the metal/YBa2Cu3O6+x planar junctions},
author = {Milan Tomasek and Tomas Plecenik and Martin Truchly and Jaroslav Noskovic and Tomas Roch and Miroslav Zahoran and Stefan Chromik and Mariana Spankova and Peter Kus and Andrej Plecenik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.3569},
year = {2011}
}
备注
13 pages, 5 figures