金属/YBCO阻变器件中的普尔-弗兰克尔效应与变程跳跃传导

在不同电阻状态下，研究了 Au / YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$（最佳掺杂 YBCO）界面的电流-电压（IV）特性以及接触电阻的温度依赖性 [$R(T)$]。这些状态是通过累积数量和电压幅度递增的循环电脉冲后发生阻变而产生的。不同状态的 IV 特性和 $R(T)$ 依赖关系与普尔-弗兰克尔（P-F）发射机制一致，其陷阱能级 $E_t$ 在 0.06-0.11 eV 范围内。$E_t$ 在依赖于脉冲数的临界电压之前保持恒定，并随脉冲电压幅度的进一步增加而线性增大。P-F 机制的观测揭示了界面附近存在氧耗尽层 YBCO。讨论了一个简单的电输运情景，其中无序度、陷阱能级和温度范围决定了由非线性效应、或 P-F 发射、或变程跳跃机制主导的电传导。