质子辐照对金属-YBCO 界面的影响

通过测量 YBCO 基测试结构在不同累积注量下的电流-电压（IV）特性，分析了 10 MeV 质子辐照效应。对于高达 $\sim$80$\cdot$10$^9$~p/cm$^2$ 的注量，未观察到器件电学行为的变化，而在 $\sim$~300$\cdot$10$^9~$ p/cm$^2$ 的注量下其导电性下降。基于 $\gamma$ 幂指数参数 [$\gamma=dLn(I)/dLn(V)$] 对室温 IV 特性进行的详细分析，使我们能够揭示主要传导机制并建立器件的等效电路模型。根据蒙特卡洛 TRIM 模拟，电学行为产生的变化表明，质子诱导的主要效应是 YBCO 晶格内氧原子的位移，特别是从富氧区向贫氧区移动并在那里被俘获。