质子注入ZnO微线中的电导率涨落
介观与纳米尺度物理
2016-06-29 v1
摘要
电噪声可能是纳米尺度导电元件应用的重要限制。诸如ZnO等用于光自旋电子学（opto-spintronics）前景材料的本征电噪声尚未被表征。本研究考察了室温下通过质子注入ZnO微线产生的10~nm厚电流路径中的电导率涨落。在未掺杂以及Li掺杂微线中，恒定直流电流偏压下的电压噪声以 功率谱表征，其中 。噪声强度随偏置电流的平方缩放，表明偏置无关的电导率涨落是观测噪声的来源。归一化功率谱密度表现为与探测样品体积中的载流子数成反比，符合唯象Hooge定律。对于质子注入的ZnO微线，在1~Hz处我们获得的归一化功率谱密度低至 Hz。
引用
@article{arxiv.1606.00231,
title = {Conductivity fluctuations in proton-implanted ZnO microwires},
author = {B. Dolgin and I. Lorite and Y. Kumar and P. Esquinazi and G. Jung and B. Straube and S. Perez de Heluani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.00231},
year = {2016}
}
备注
10 pages,3 figures to be published in Nanotechnology (2016)