电流诱导的伪自旋阱 (Co/Cu/Co) 纳米结构中的两水平态波动
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2
摘要
在室温下, 由浓度为 10^7 A/cm^2 的自旋极化电流触发的 Co(10 nm)/Cu(10 nm)/Co(30 nm) 伪自旋阱柱(直径约 40 nm, 长度为 6000 nm) 的磁化状态的两水平态波动。并行态与反平行态磁化状态的驻留时间统计特性揭示了两种随电流强度呈定性不同依赖关系的效应。该电流似乎具有场的作用, 该场被确定为使驻留时间相等所需的偏置场。当电流极性反转时, 此偏置场的符号也随之改变。在该场下, 电流密度为 10^7 A/cm^2 的作用可将切换平均时间降低至微秒范围。该效应独立于电流符号, 并可解释为磁化的有效温度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0304191,
title = {Current-induced two-level fluctuations in pseudo spin-valves (Co/Cu/Co) nanostructures},
author = {A. Fabian and C. Terrier and S. Serrano Guisan and X. Hoffer and M. Dubey and L. Gravier and J. -Ph. Ansermet and J. -E. Wegrowe},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0304191},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures, revised version, to be published in Phys. Rev. Lett