稀磁半导体纳米结构中电流振荡的磁开关效应

通过稀磁半导体多量子阱的强非线性输运源于约束、库仑和交换相互作用之间的相互影响。非线性效应包括自旋极化稳态和自持电流振荡作为纳米结构可能的稳定态的出现，这取决于其构型以及诸如偏压和外磁场引起的能级分裂等控制参数。振荡区域随阱数和能级分裂的增加而增大。对II-VI族稀磁半导体多量子阱在电压和磁场开关下的电荷与自旋响应进行了系统分析。对稳态和时周期自旋极化态的描述、它们之间的跃迁以及对电压或磁场开关的响应，由于基于这些纳米结构的自旋电子器件的潜在应用而具有重要意义。