II-VI 调制掺杂磁量子阱的能带结构
介观与纳米尺度物理
2015-06-24 v1
摘要
本文研究了新开发的基于 Mn 的调制掺杂量子阱的自旋依赖能带结构。在外部磁场作用下，载流子与 Mn 掺杂原子局域 d 电子之间的 s-d 交换耦合导致显著的自旋分裂，从而产生磁场依赖的能带结构。基于有效质量近似，本文采用局部自旋密度泛函理论（LSDA）在零温度下自一致地计算了浅 ZnSe/ZnCdMnSe 调制掺杂量子阱的能带结构。我们展示了交换关联项对自一致势能的显著贡献。这些计算是研究各种有趣的自旋相关现象（如自旋分辨输运和两维电子气中的多体效应）的第一步。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0112263,
title = {Subband structure of II-VI modulation-doped magnetic quantum wells},
author = {Henrique J. P. Freire and J. Carlos Egues},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0112263},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 3 postscript figures, submitted to the proceedings of the 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (BWSP10)