低载流子密度区下的稀磁半导体
材料科学
2007-05-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文基于在 Spintronics 2001 会议上的报告，回顾了我们关于 II-VI 和 III-V 族 Mn 掺杂稀磁半导体的研究。我们使用了适用于低载流子密度（绝缘）区的简单模型，尽管我们认为磁化曲线的一些不寻常特征在更高掺杂（金属区）下也应定性存在。结果表明，宿主半导体内部磁性杂质的位置无序对磁化曲线的形状具有可观测的影响。在临界温度以下，磁化在空间上是不均匀的，导致平均磁化强度和比热出现非常不寻常的温度依赖性。研究还发现，无序会增强铁磁转变温度。这暗示了不寻常的自旋和电荷输运。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111184,
title = {Diluted Magnetic Semiconductors in the Low Carrier Density Regime},
author = {R. N. Bhatt and Mona Berciu and Malcolm P. Kennett and Xin Wan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111184},
year = {2007}
}
备注
10 pages + 10 figures; Spintronics 2001