III-V 稀释铁磁半导体的密度泛函计算：综述
材料科学
2007-05-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文综述了密度泛函理论在理解稀释磁性半导体物理方面的最新进展。我们重点关注过渡金属掺杂的 III-V 半导体，这类材料在相对较高的温度下表现出自发铁磁序，且与现有 III-V 器件具有良好的结构兼容性。我们表明，密度泛函理论是一个非常强大的工具，可用于：i) 研究局域掺杂缺陷与无序对这些材料磁性质的影响；ii) 预测新材料的性质；iii) 为模型 Hamiltonian 计算提供实验上往往无法获取的参数。密度泛函理论数值实现的最新进展使得研究包含大量原子的系统成为可能，从而促进了此类研究的开展。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111300,
title = {Density functional calculations for III-V diluted ferromagnetic semiconductors: A Review},
author = {S. Sanvito and G. Theurich and N. A. Hill},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111300},
year = {2007}
}
备注
Invited article for Journal of Superconductivity and Novel Magnetic Materials