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掺杂自旋器材料中的缺陷关联、金属-绝缘相变与磁有序

材料科学 2007-05-23 v1

作者: Carsten Timm , Felix von Oppen

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摘要

稀释的 III-V 半导体掺杂铁磁体通常表现出很高的补偿程度。补偿与相同符号带电缺陷密度相当的存在有关。这自然导致在生长和退火过程中，缺陷位置之间发展出强关联。我们表明，这些关联是理解实验观察到的传输和磁性质以及磁离子掺杂后能隙持续性所必需的。

关键词

III-V 半导体铁磁半导体缺陷关联金属-绝缘相变磁有序补偿带电缺陷

引用

@article{arxiv.cond-mat/0209055,
  title  = {Defect correlations, metal-insulator transition, and magnetic order in ferromagnetic semiconductors},
  author = {Carsten Timm and Felix von Oppen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209055},
  year   = {2007}
}

备注

8 pages, 6 figures included, to be published in the proceedings of ICPS 2002, Edinburgh