缺陷相关性、金属-绝缘相转变与铁磁半导体中的磁性有序
材料科学
2009-11-07 v2 无序系统与神经网络
摘要
我们理论性地研究了离子杂化 III-V 半导体中散乱对输运和磁化特性的影响，特别是 (Ga,Mn)As 类材料。我们指出，散布位点的库仑诱导相关性对于这些高度补偿材料的输运和磁性特性至关重要。我们采用蒙特卡罗模拟获取相关散布分布。通过精确对角化方法，只在散布分布相关时才能得到价带空洞的能谱以及金属-绝缘相转变具有合理的描述。最后，我们还表明，均值场磁化也严重取决于散布位的相关性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0201411,
title = {Correlated defects, metal-insulator transition, and magnetic order in ferromagnetic semiconductors},
author = {C. Timm and F. Schäfer and F. von Oppen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0201411},
year = {2009}
}
备注
4 pages RevTeX4, 5 figures included