III-V和II-VI半导体结构中的铁磁性
材料科学
2013-11-15 v2 无序系统与神经网络
摘要
简要回顾了四面体配位半导体中载流子介导铁磁性的研究现状。将III-V半导体（其中Mn原子同时引入自旋和空穴）的实验结果与II-VI化合物的情况进行了比较，后者已在调制掺杂的p型Cd1-xMnxTe/Cd1-y-zMgyZnzTe:N异质结构以及最近的Zn1-xMnxTe:N外延层中观察到铁磁性。在理论方面，提出了一个模型，该模型考虑了：(i) 价带中强的自旋轨道和kp耦合；(ii) 限制和应变对空穴态密度及响应函数的影响；(iii) 无序和载流子-载流子相互作用的影响，特别是在金属-绝缘体跃迁附近。实验与理论结果的比较表明，该模型能够描述磁圆二色性、所研究系统中观察到的TC值，并能解释易轴方向及相应各向异性场的大小随限制和双轴应变的变化。文中还描述了关于设计新型铁磁半导体系统的各种建议。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0002450,
title = {Ferromagnetism in III-V and II-VI semiconductor structures},
author = {Tomasz Dietl and Hideo Ohno},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0002450},
year = {2013}
}
备注
Proc. 11th International Winterschool on Low Dimensional Systems: Fundamentals and Applications Mauterndorf, Austria, 2000, Physica E, to be published 9 pages, 4 figures, new version replaces HTML by PS format, and contains some typos corrected