拓扑半金属中无序、迁移率与磁电阻的直接关联
材料科学
2023-07-04 v1
摘要
无序在多大程度上影响拓扑半金属的性质仍是一个开放问题，且与理解拓扑态和拓扑材料在实际应用中的使用都相关。在此，我们在典型的狄拉克半金属CdAs中实现了对点缺陷浓度无与伦比的系统控制，从而深入认识无序在电子输运行为中的作用。我们发现砷空位在费米能级附近引入局域态，并强烈影响电子迁移率。通过改变沉积过程中使用的As/Cd通量比来减少砷空位，导致磁电阻从200%增至1000%，迁移率从5000增至18,000 cm/Vs。然而，先前被认为与无序相关的线性磁电阻程度，在此被发现与无序的度量（包括无序势与无序关联长度）呈反相关。这一发现为在更广泛材料中确定线性磁电阻起源的探索提供了重要新信息。
引用
@article{arxiv.2206.10023,
title = {Direct link between disorder, mobility and magnetoresistance in topological semimetals},
author = {Jocienne N. Nelson and Anthony D. Rice and Chase Brooks and Ian A. Leahy and Glenn Teeter and Mark Van Schilfgaarde and Stephan Lany and Brian Fluegel and Minhyea Lee and Kirstin Alberi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.10023},
year = {2023}
}
备注
19 pages, 3 main figures, 4 supplemental figures