n 型掺杂 Cd3As2 中迁移率涨落引起的线性磁阻
强关联电子
2015-03-25 v1 材料科学
摘要
Cd3As2 是一种候选的三维 Dirac 半金属，具有极高的迁移率和非饱和线性磁阻，可能与未来的实际应用相关。我们报告了对 Cd3As2 的磁输运和隧道二极管振荡测量，磁场高达 65 T，温度介于 1.5 K 至 300 K 之间。我们发现非饱和线性磁阻持续存在直至 65 T，这可能是由无序效应引起的，因为它与高迁移率成比例缩放，而非直接与费米面变化相关，即使在接近量子极限时也是如此。从观测到的量子振荡中，我们确定了具有 Dirac 行为特征的体三维费米面，包括非平凡的 Berry 相位移动、极轻的有效准粒子质量以及与能带结构预测的明显偏差。在极高磁场下，我们还检测到了大的 Zeeman 自旋分裂迹象（g~16）。
引用
@article{arxiv.1412.4105,
title = {Linear magnetoresistance caused by mobility fluctuations in the n-doped Cd3As2},
author = {A. Narayanan and M. D. Watson and S. F. Blake and Y. L. Chen and D. Prabhakaran and B. Yan and N. Bruyant and L. Drigo and I. I. Mazin and C. Felser and T. Kong and P. C. Canfield and A. I. Coldea},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.4105},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures