Bi$_2$Se$_3$ 中中性缺陷引起的大线性磁阻
介观与纳米尺度物理
2016-06-30 v1 材料科学
摘要
硫系化合物 BiSe 在应变和微应变的影响下可获得三维（3D）狄拉克半金属态。在此我们报告了此类 BiSe 晶体中存在大线性磁阻。磁阻在低场下呈二次方形式，在 4 T 以上转变为线性。磁阻的温度依赖性随载流子迁移率而变化，交叉场随迁移率的倒数而变化。我们的分析表明，系统中线性磁阻具有经典起源，源于高迁移率三维狄拉克电子从晶体非均匀性处的散射。我们观察到带电硒空位被高迁移率狄拉克电子强烈屏蔽，而中性晶体缺陷是输运机制的主要散射中心。我们的分析表明，电阻率和磁阻均源于电荷载流子从中性缺陷处的散射。
引用
@article{arxiv.1606.09059,
title = {Large linear magnetoresistance from neutral defects in Bi$_2$Se$_3$},
author = {Devendra Kumar and Archana Lakhani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.09059},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 5 figures