新狄拉克材料 BaMnBi2 中的大线性磁电阻
材料科学
2016-10-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了高质量 BaMnBi2 单晶的合成，并研究了样品的输运性质。霍尔数据揭示了电子型载流子以及迁移率 mu(5K) = 1500 cm2/Vs。磁化的温度依赖性表现出不同于 CaMnBi2 或 SrMnBi2 的行为，这表明 BaMnBi2 可能具有不同磁结构。角度依赖磁电阻揭示了准二维费米面。在横向磁电阻中观察到从低场半经典 MR-H2 依赖到高场 MR-H 依赖的交叉。我们的结果表明 BaMnBi2 中各向异性的狄拉克费米子态。
引用
@article{arxiv.1603.09117,
title = {Large linear magnetoresistance in a new Dirac material BaMnBi2},
author = {Yi-Yan Wang and Qiao-He Yu and Tian-Long Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.09117},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 3 figures