反铁磁半导体 BaMn$_2$Bi$_2$ 中的大热电势

Kefeng Wang; C. Petrovic

doi:10.1063/1.4828779

反铁磁半导体 BaMn$_2$Bi$_2$ 中的大热电势

强关联电子 2016-04-19 v1 材料科学

作者: Kefeng Wang , C. Petrovic

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摘要

我们报道了具有 ThCr $_2$ Si $_2$ 结构的锰基材料 BaMn $_2$ Bi $_2$ 的电输运与热输运性质。反铁磁 BaMn $_2$ Bi $_2$ 的电阻率随温度降低在 $\sim 80$ K 处呈现金属-半导体转变。相应地，热电势 $S$ 在同一温度出现峰值，接近 150 $\mu$ V/K。随着温度升高， $S$ 在室温下降至约 125 $\mu$ V/K。磁场将该峰值增强至 210 $\mu$ V/K。霍尔电阻率揭示了在金属-半导体转变温度附近载流子密度的突变。

关键词

反铁磁半导体 BaMn$_2$Bi$_2$ 热电势金属-半导体转变热输运霍尔电阻率

引用

@article{arxiv.1604.05296,
  title  = {Large thermopower in the antiferromagnetic semiconductor BaMn$_2$Bi$_2$},
  author = {Kefeng Wang and C. Petrovic},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1604.05296},
  year   = {2016}
}

备注

3 pages, 3 figures

反铁磁半导体 BaMn$_2$Bi$_2$ 中的大热电势

摘要

关键词

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