(Cd1-xZnx)3As2薄膜中拓扑相变对负磁阻的抑制
介观与纳米尺度物理
2018-06-07 v1 材料科学
强关联电子
摘要
新发现的拓扑狄拉克半金属通过控制自旋轨道耦合以及对称性和维度，蕴含着各种拓扑相变的可能性。在此，我们报告了对高迁移率 (Cd1-xZnx)3As2 薄膜的磁输运研究，其中拓扑狄拉克半金属相可以通过化学掺杂转变为平庸绝缘体。通过霍尔棒几何结构的高场测量，将归因于手性电荷泵浦的磁阻分量与其他非本征效应区分开来。负磁阻在Zn掺杂下表现出明显的抑制，这反映了随着自旋轨道耦合减弱引发拓扑相变，能带结构的 Berry 曲率减小。
引用
@article{arxiv.1806.02302,
title = {Negative magnetoresistance suppressed through topological phase transition in (Cd1-xZnx)3As2 films},
author = {S. Nishihaya and M. Uchida and Y. Nakazawa and K. Akiba and M. Kriener and Y. Kozuka and A. Miyake and Y. Taguchi and M. Tokunaga and M. Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.02302},
year = {2018}
}
备注
16 pages, 6 figures