Dirac 节线材料 ZrSiSe 中的三维各向异性磁阻
介观与纳米尺度物理
2017-09-14 v2 材料科学
摘要
被定义为 ZrSiX (X = S, Se, Te) 的材料家族已被确立为 Dirac 节线半金属，因此亟需进一步研究以发掘其不寻常磁阻性质的应用潜力。在本工作中，我们系统地研究了新发现的 Dirac 节线材料 ZrSiSe 的各向异性磁阻。通过使用矢量磁场施加 3 T 的磁场，三维 (3D) 磁阻 (MR) 表现出强烈的各向异性。在 3 T 时，最大与最小方向上的 MR 比率可达 7，并且在更高的磁场下持续增大。各向异性 MR 形成了蝴蝶状曲线，这表明了准二维电子结构。这一点进一步得到了依赖于角度的 Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡的证实。第一性原理计算确立了布里渊区中 X 点附近的准二维管状 Fermi 面。我们的发现为 MR 的三维映射以及基于 ZrSiSe Dirac 材料的磁传感器潜在应用提供了启示。
引用
@article{arxiv.1708.02779,
title = {Three-Dimensional Anisotropic Magnetoresistance in the Dirac Node-Line Material ZrSiSe},
author = {Haiyang Pan and Bingbing Tong and Jihai Yu and Jue Wang and Dongzhi Fu and Shuai Zhang and Bin Wu and Xiangang Wan and Chi Zhang and Xuefeng Wang and Fengqi Song},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.02779},
year = {2017}
}