ZrSiS单晶中极大且显著各向异性的磁电阻
材料科学
2016-08-19 v1
摘要
近来，在过渡金属碲化物（如 WTe）中观测到的极大磁电阻因在磁传感器中的潜在应用而备受关注。在此我们报道了在 2 K 和沿 [001]-ZrSiS 方向排列的 9 T 磁场下测得的 3.010 % 的极大磁电阻现象。当磁场从 [001] 向 [011]-ZrSiS 倾斜时，可获得显著的磁电阻变化（~1.410 %）。ZrSiS 中这些异常的磁电阻行为可通过电子-空穴补偿和费米面的开放轨道来理解。由于这些优越的 MR 特性，ZrSiS 可用于新型磁传感器。
引用
@article{arxiv.1604.01864,
title = {Extremely large and significantly anisotropic magnetoresistance in ZrSiS single crystals},
author = {Yang-Yang Lv and Bin-Bin Zhang and Xiao Li and Shu-Hua Yao and Y. B. Chen and Jian Zhou and Shan-Tao Zhang and Ming-Hui Lu and Yan-Feng Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.01864},
year = {2016}
}
备注
18 pages, 5 figures, 21 references