非晶超导薄膜中的磁电阻各向异性：位-键逾渗方法
超导电性
2015-07-22 v1
摘要
近期对非晶超导薄膜在倾斜磁场中磁电阻（MR）的测量显示出若干令人惊讶的实验细节，尤其是在低磁场下MR对磁场角度的强烈依赖性，该依赖性在大磁场下减弱并随后改变符号。利用一个同时考虑磁场轨道效应和塞曼效应的广义位-键逾渗模型，我们展示了所得的MR曲线再现了主要的实验特征。此类测量，辅以相应的理论，对于确定薄无序薄膜中超导-绝缘体转变和MR峰的正确理论可能至关重要。
引用
@article{arxiv.1410.2614,
title = {Magnetoresistance Anisotropy in Amorphous Superconducting Thin Films: A Site-Bond Percolation Approach},
author = {Elkana Porat and Yigal Meir},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.2614},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures