超薄GaMnAs薄膜的各向异性磁电阻与磁强计研究
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1 材料科学
摘要
我们测量了超薄（5nm）Ga(0.95)Mn(0.05)As薄膜的各向异性磁电阻（AMR）。我们发现AMR的符号可以为正或负，这可能取决于电流相对于晶体的方向。在低温下，输运测量和SQUID磁强计测量表明磁化强度具有指向薄膜平面外的分量。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610692,
title = {AMR and magnetometry studies of ultra thin GaMnAs films},
author = {A. W. Rushforth and A. D. Giddings and K. W. Edmonds and R. P. Campion and C. T. Foxon and B. L. Gallagher},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610692},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in Physica Status Solidi C