铁镍镓薄膜的各向异性磁阻
材料科学
2007-05-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们测量了一系列 Ga1-xMnxAs 样品 (0.2 ≤ x ≤ 0.8) 的磁阻，在外部磁场的三个互相正交的方向下进行测量。结果显示，随着 Mn 含量的增加，各向异性磁阻减小，这表明磁构象无序或缺陷散射随 Mn 含量的增加而增强。此外，磁晶体各向异性随 Mn 浓度的升高而增大。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0211697,
title = {Anisotropic Magnetoresistance in GaMnAs films},
author = {K. Y. Wang and K. W. Edmonds and R. P. Campion and L. X. Zhao and A. C. Neumann and C. T. Foxon and B. L. Gallagher and P. C. Main},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0211697},
year = {2007}
}
备注
Presented at ICPS-26, July 2002