GaAs 二维空穴的各向异性磁阻
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v3
摘要
在低温下对高品质 GaAs (311)A 二维空穴进行实验测量,发现磁阻 exhibits 显著的各向异性,该磁阻随磁场 的方向相对于晶轴和电流方向而变化。磁阻特征尤其是当 超过给定值后,电阻率显示出绝缘行为,取决于 的取向。为了解释这些数据,需要考虑空穴的各向异性能带结构、磁场下自旋亚带的重新填充,以及轨道运动与 的耦合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9911239,
title = {Anisotropic magnetoresistance of GaAs two-dimensional holes},
author = {S. J. Papadakis and E. P. De Poortere and M. Shayegan and R. Winkler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9911239},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures. To appear in PRL 84