MgB2单晶中各向异性电阻率与霍尔效应
超导电性
2009-11-07 v2
摘要
我们报告了在MgB2单晶的正常态和超导态下的电阻率和霍尔效应测量结果。发现电阻率呈各向异性，电阻率比约为3.5，温度依赖性较弱。当磁场平行于Mg和B层时，霍尔常数为负值，这与沿c轴方向的磁场下呈现孔隙型霍尔响应不同，表明MgB2中存在两种类型的载流子，从而表现出多带电子结构。混合态中的霍尔效应未观察到显著的信号变化异常，再现了干净型II型超导体的霍尔效应行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204027,
title = {Anisotropic resistivity and Hall effect in MgB2 single crystals},
author = {Yu. Eltsev and K. Nakao and S. Lee and T. Masui and N. Chikumoto and S. Tajima and N. Koshizuka and M. Murakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204027},
year = {2009}
}
备注
Minor changed content, 11 pages including 3 figures