非线性霍尔效应与磁阻测量揭示 MgB2 中完全能带分辨的散射率
超导电性
2008-09-08 v2
摘要
我们测量了具有不同无序度的外延 MgB2 薄膜在正常态下霍尔效应和磁阻的温度依赖性，其无序度由剩余电阻比 RRR 表征，范围从 4.0 到 33.3。在洁净样品中发现了强烈的霍尔效应和磁阻非线性，且它们随无序度或温度的增加而逐渐减弱。通过将数据拟合到基于玻尔兹曼方程和四能带系统从头计算的理论模型，我们首次推导出了不同温度和无序度下这四个能带的散射率。我们的方法为推导多能带系统中的这些重要参数提供了一种独特的途径。
引用
@article{arxiv.0802.3443,
title = {Fully Band Resolved Scattering Rate in MgB2 Revealed by Nonlinear Hall Effect and Magnetoresistance Measurements},
author = {Huan Yang and Yi Liu and Chenggang Zhuang and Junren Shi and Yugui Yao and Sandro Massidda and Marco Monni and Ying Jia and Xiaoxing Xi and Qi Li and Zi-Kui Liu and Qingrong Feng and Hai-Hu Wen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.3443},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 4 figures