电子结构计算视角下的 YbRh2Si2 及其相关化合物的霍尔效应测量
强关联电子
2010-07-08 v3
摘要
我们报道了对 YbRh2Si2 及其参考化合物 LuRh2Si2 和 YbIr2Si2 中霍尔效应的实验与理论研究。基于能带结构计算，我们确定了在所有这些化合物中主导霍尔系数的两个能带。对于 LuRh2Si2（YbRh2Si2 的非磁性参考化合物），霍尔系数的温度依赖性被定量地描述为源于两个类空穴能带。对于 YbIr2Si2 和 YbRh2Si2，重整化能带计算得出两个具有相反特征的能带。在 YbRh2Si2 中，这两个能带几乎相互补偿。我们提出了强有力的迹象表明，在 YbRh2Si2 中观察到的低温霍尔系数的样品依赖性源于两个能带相对散射率的微小变化。成分的细微变化似乎是其原因所在。
引用
@article{arxiv.0803.4428,
title = {Hall effect measurements on YbRh2Si2 and relatives in the light of electronic structure calculations},
author = {S. Friedemann and N. Oeschler and S. Wirth and C. Krellner and C. Geibel and F. Steglich and S. MaQuilon and Z. Fisk and S. Paschen and G. Zwicknagl},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.4428},
year = {2010}
}
备注
12 pages, 8 figures