LuRh2Si2中的交叉场与单场霍尔效应
强关联电子
2010-07-08 v2
摘要
研究了LuRh2Si2——重费米子材料YbRh2Si2的非磁性同系物——的霍尔效应，采用两种不同的实验设置：在传统的单场几何中，根据微分霍尔系数分析了场依赖性。此外，最近发展的交叉场实验允许检查作为磁场函数的线性响应霍尔系数。结果揭示了两种实验之间预期的类比关系，证实了在YbRh2Si2中的等效发现。这强调了用两种方法研究场诱导量子临界点的适用性。
引用
@article{arxiv.0906.2649,
title = {The crossed-field and single-field Hall effect in LuRh2Si2},
author = {Sven Friedemann and Niels Oeschler and Steffen Wirth and Frank Steglich and Sam MaQuilon and Zachary Fisk},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.2649},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 3 figures, accepted for publication in physica status solidi to QCNP2009