1K 以下单晶重费米子 YbAgGe 的磁场依赖霍尔效应
强关联电子
2009-11-11 v1
摘要
我们报道了对重费米子化合物 YbAgGe 单晶在低温（T >= 50 mK）和强磁场（H <= 180 kOe）下霍尔电阻率的研究结果，该化合物在其场致量子临界点附近表现出场致非费米液体行为。各向异性、磁场依赖的霍尔电阻率中的显著特征在降温过程中变得尖锐，并且在基础温度下接近场致量子临界点的各自临界磁场。非费米液体区域的磁场范围随降温而减小，但在基础温度下仍保持有限，没有迹象表明在 T -> 0 时其会转变为一个点。在基础温度下，磁场依赖霍尔系数的函数形式依赖于磁场方向，且其复杂性超出了现有的简单模型，从而反映了该材料的多组分费米面及其在量子临界点处的非平庸改变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507338,
title = {Field-Dependent Hall Effect in Single Crystal Heavy Fermion YbAgGe below 1K},
author = {S. L. Bud'ko and V. Zapf and E. Morosan and P. C. Canfield},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507338},
year = {2009}
}