重铬合金 YbAgGe 中各向异性霍尔效应
强关联电子
2009-11-10 v3
摘要
我们报告了 YbAgGe 及其系列成员 LuAgGe（非磁性 Analogue）和 TmAgGe（典型良好局部磁矩材料）的温度和场依赖的霍尔效应测量。虽然 YbAgGe 的温度依赖霍尔系数显示类似于许多重铬合金的行为，但低温场依赖测量显示出随场应用的明显突变；特别是当 时，出现清晰的局部最大值，随温度下降而锐化，并趋近于 45 kOe—a 个被提议为 量子临界点的值。类似行为也出现在 的情况下，低温下霍尔电阻率场依赖性出现明显的最小值。虽然在我们的基准温度下难以区分场依赖行为是（i）临界自旋密度波的衍射，还是（ii）重电子复合性质的崩溃，但无论是哪个方向，都存在一种特征，其温度依赖性可以明确关联到 场诱导量子临界点，至少持续到 2 K 以上。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0406435,
title = {Anisotropic Hall Effect in Single Crystal Heavy Fermion YbAgGe},
author = {S. L. Bud'ko and E. Morosan and P. C. Canfield},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0406435},
year = {2009}
}
备注
revised version