MgB2 剩余电阻比与磁阻之间的相关性
超导电性
2009-11-07 v2
摘要
系统研究了体积和薄膜 MgB2 的电阻率和磁阻，其 nominal 组成不同。这些样品显示出正常态电阻率和剩余电阻比的不同温度依赖性，尽管其超导临界温度几乎相同，除了薄膜样品。剩余电阻比 (RRR) 与低温电阻率 随 的幂律依赖性之间的相关性表明，电子-声子相互作用很重要。发现磁阻 (MR) 在正常态与 RRR 很好地呈比例尺， 在 50 K 时。这解释了由于样品中不同缺陷散射导致的各组报告的磁阻差异。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107154,
title = {Correlation between the residual resistance ratio and magnetoresistance in MgB2},
author = {X. H. Chen and Y. S. Wang and Y. Y. Xue and R. L. Meng and Y. Q. Wang and C. W. Chu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107154},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 3 figures, submitted to Phys. Rev. B (July 6, 2001; revised September 27, 2001); discussion of the need for excess Mg in processing and of the power law dependence of the low temperature resistivity added in response to referee's comments