MgB2薄膜的临界电流密度与电阻率
超导电性
2009-11-10 v1 材料科学
摘要
许多 MgB2 _bulk 和薄膜样品的高电阻率最直接的解释是：只有样品横截面积的部分区域在实际导电。因此，此类样品的超导电流(Jc)将受到相同的面积因素限制，这种因素可能源于孔隙或样品晶界处的绝缘氧化物。我们建议应存在一种相关性：Jc ~ 1/{Rho(300K) - Rho(50K)}，其中 Rho(300K) - Rho(50K) 表示从 300 K 到 50 K 时电阻率的变化。我们报告了使用混合物理化学蒸发 deposition 制造的若干薄膜的 Rho(T) 和 Jc 测量结果，这些结果证明了这一相关性，尽管仅凭“有效导电面积缩减”论证尚不足够。我们认为，这一论证同样适用于许多多晶体 MgB2 的 bulk 和导线样品。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302017,
title = {Critical Current Density and Resistivity of MgB2 Films},
author = {J. M. Rowell and S. Y. Xu and X. H. Zeng and A. V. Pogrebnyakov and Q. Li and X. X. Xi and J. M. Redwing and W. Tian and X. Pan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302017},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 3 figures