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高品质 MgB2 超导体中不同尺度上的超导屏蔽

超导电性 2007-05-23 v1

摘要

高品质的 bulk MgB2 样品表现出在不同尺度上存在空洞和晶体团聚体的结构。由于这种结构,超导电流在空洞之间进行滞留。磁学测量表明,超导电流在至少三个不同的尺度上循环,即约为 1 微米、约为 10 微米以及整个样品(约为毫米)。这些屏蔽效应共同贡献于测得的不可逆磁矩 DmD_m。对不同尺寸样品 DmD_m 场依赖性的分析显示,使用简单临界态模型得到的临界电流是错误的。这导致样品尺寸相关临界电流和不可逆场的伪影。我们的数据分析使我们能够分离每个屏蔽电流对 DmD_m 的贡献。每个电流的场依赖性遵循伸缩指数形式。流动整个样品的电流在中间场(20K 时 1T<H<4T1T < H < 4T)中对 DmD_m 贡献占主导地位,并且它们可以用于从临界态模型中获得 JcJ_c,这对应于运输 JcJ_c

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0402353,
  title  = {Superconducting screening on different length scales in high-quality bulk MgB2 superconductor},
  author = {J. Horvat and S. Soltanian and A. V. Pan and X. L. Wang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0402353},
  year   = {2007}
}