基于基本性质的MgB$_2$应用前景
超导电性
2015-05-13 v1
摘要
在二硼化镁超导电性发现七年后，该化合物的基本超导性质已得到充分认识，多晶材料中特殊的电流输运机制也已基本理解。基于这些知识，将预测线材或带材在高磁场下的极限性能，并与当前最先进材料及其他超导体进行比较。高场应用的关键参数是上临界场，它可以通过杂质散射显著增强。这一基本性质可能在块体材料中得到进一步优化，因为薄膜中已报道了更高的数值。若采用原位技术制备，MgB晶粒通常非常细小。由此产生的高密度晶界导致接近理论极限的强钉扎。另一方面，晶粒之间的连接性仍然较差，严重限制了可达到的临界电流，因此仍有进一步改进的空间。
引用
@article{arxiv.0810.5737,
title = {Application prospects of MgB$_2$ in view of its basic properties},
author = {M. Eisterer and H. W. Weber},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.5737},
year = {2015}
}