局部强射频磁场激发下MgB2非线性特性的研究
超导电性
2015-06-04 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
为了提高超导射频（SRF）腔的加速梯度，二硼化镁（MgB2）因其高转变温度和在强射频场区域低表面电阻的潜力而带来希望。然而，由于带中存在小的超导能隙，MgB2的非线性响应可能比单能隙s波超导体（如Nb）大得多。理解来自MgB2双带结构的非线性机制以及外在来源是迫切的需求。由磁写头产生的局部强射频磁场被集成到我们的非线性Meissner效应扫描微波显微镜中[1]。通过混合物理化学气相沉积技术在介电衬底上制备的厚度为50 nm的MgB2薄膜，在固定位置进行测量，显示出强烈依赖于温度的三次谐波响应。我们提出至少有两种机制负责这种非线性响应，其中一种涉及涡旋成核和穿透薄膜。[1] T. M. Tai, X. X. Xi, C. G. Zhuang, D. I. Mircea, S. M. Anlage, "Nonlinear Near-Field Microwave Microscope for RF Defect Localization in Superconductors", IEEE Trans. Appl. Supercond. 21, 2615 (2011).
引用
@article{arxiv.1202.4950,
title = {Mgb2 Nonlinear Properties Investigated under Localized High RF Magnetic Field Excitation},
author = {Tamin Tai and Behnood G. Ghamsari and Steven M. Anlage and C. G. Zhuang and X. X. Xi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.4950},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 6 figures