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局域高射频磁场激发下 MgB2 非线性性质研究——报告 2

超导电性 2013-09-09 v1

摘要

MgB2 的高转变温度和低表面电阻使其在超导射频加速腔中的潜在应用备受关注。然而,与传统 Nb 腔相比,MgB2 在高射频场下的可行性仍有待商榷。我们的方法是研究材料在局域射频磁场下的非线性电动力学。由于 π\pi 带中存在小的超导能隙,MgB2 在低温下的非线性响应可能比 Nb 等单能隙 s 波超导体更为复杂。理解源于 MgB2 双带结构的非线性机制以及外在非线性来源是一项迫切需求。我们将由磁写入头产生的局域强射频磁场集成到我们的非线性迈斯纳效应扫描微波显微镜中 [Tamin Tai, X. X. Xi, C. G. Zhuang, D. I. Mircea, and S. M. Anlage, IEEE Trans. Appl. Supercond. 21, 2615 (2011)]。对采用混合物理 - 化学气相沉积技术在介电衬底上制备的厚度为 50 nm 的 MgB2 薄膜在固定位置进行测量,显示出强烈的温度依赖性三次谐波响应。我们提出几种可能的机制负责这种非线性响应。

关键词

引用

@article{arxiv.1309.1706,
  title  = {MgB2 nonlinear properties investigated under localized high rf magnetic field excitation-report 2},
  author = {Tamin Tai and B. G. Ghamsari and T. Tan and C. G. Zhuang and X. X. Xi and Steven M. Anlage},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1309.1706},
  year   = {2013}
}

备注

8 pages, 10 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1202.4950