两种能带对 MgB2 薄膜临界场的影响
超导电性
2009-11-10 v2
摘要
测量了四个 MgB2 薄膜的上临界场，最高可达 28 特斯拉，实验在 Grenoble 高磁场实验室完成。这些薄膜通过脉冲激光沉积制成，临界温度范围为 29.5 到 38.8 K，40 K 处的电阻率分别为 5 到 50 mWcm。垂直于薄膜方向的临界场范围为 13-24 T，而沿 ab 面方向的临界场估计为 42-57 T。与 BCS 理论的预测不同，我们没有在低温看到任何饱和现象：即使在最低测量温度，临界场仍呈线性温度依赖。此外，临界场值似乎与正常态电阻率值无关。本文考虑到 MgB2 超导性多能带特性，对这些数据进行分析。我们将展示散射机制如何决定临界场和电阻率。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0307013,
title = {Effect of two bands on critical fields in MgB2 thin films with various resistivity values},
author = {V. Ferrando and P. Manfrinetti and D. Marre' and M. Putti and I. Sheikin and C. Tarantini and C. Ferdeghini},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0307013},
year = {2009}
}
备注
17 pages, 3 figures