脏极限二硼化镁薄膜中高达60T的上临界场
超导电性
2018-07-04 v1
摘要
在格勒诺布尔强磁场实验室（GHMFL）测量了多个二硼化镁薄膜的上临界场，最高达28 T，并在图卢兹国家脉冲强磁场实验室（LNCMP）测量了最高达60 T的场。样品分别通过脉冲激光沉积（PLD）和混合物理化学气相沉积（HPCVD）技术制备；它们的临界温度在29至39 K之间，正常态电阻率在5至250 μΩ·cm之间；其中一个样品被有意掺杂了碳。测量的临界场异常高；我们在平行方向于4.2 K下获得了52 T的记录值。与BCS预测相反，在低温下未观察到Hc2的饱和。此外，具有宽范围电阻率值的薄膜显示出相似的上临界场，这表明在双带体系中电阻率和Hc2并非简单相关。高的Hc2值似乎与c轴膨胀有关。在格勒诺布尔的欧洲同步辐射装置（ESRF）上，使用X射线衍射仔细研究了其中一个样品的结构。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411404,
title = {Upper Critical Fields up to 60T in Dirty Magnesium Diboride Thin Films},
author = {C. Ferdeghini and V. Ferrando and C. Tarantini and E. Bellingeri and G. Grasso and A. Malagoli and D. Marre' and M. Putti and P. Manfrinetti and A. Pogrebnyakov and J. M. Redwing and X. X. Xi and R. Felici and E. Haanappel},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411404},
year = {2018}
}
备注
4 pages, 3 figures. Presented at ASC 2004