电子掺杂铜氧化物超导体 Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+\delta}$的上临界场：双隙模型
超导电性
2015-06-12 v1
摘要
我们展示了 NdCeCuO/SrTiO单晶薄膜的上临界场（H）相图随温度（T）变化的电阻率测量结果，样品具有不同程度的无序度（），测量在低至 0.4 K 的温度及高达 90 kOe 的磁场下进行。数据很好地由脏极限下超导体的双带/双隙模型所描述。
引用
@article{arxiv.1212.6118,
title = {Upper critical field in electron-doped cuprate superconductor Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+\delta}$: two-gap model},
author = {T. B. Charikova and N. G. Shelushinina and G. I. Harus and D. S. Petukhov and V. N. Neverov and A. A. Ivanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.6118},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 5 figures, 2 tables